Method of forming smooth and pinhole-free silicon carbide films on a silicon substrate.

摘要

- La présente invention concerne un procédé et un appareil pour former des films minces de Sic, dépourvus de trous d'épingle et lisses, sur un substrat de silicium (Si). -Ce procédé comporte les étapes suivantes: placement des substrats dans un suscepteur (14) de tantale recouvert de carbure de tantale et disposé dans un réacteur (10) chauffé par induction, chauffage dans de l'hélium pour supprimer toute trace d'oxyde, application d'un mélange de CH4-He préchauffé, tout en maintenant une température comprise entre 1200 et 1350°C pour former un film de SiC sur les surfaces des substrate et refroidissement desdits substrats jusqu'à la température ambiante. --Ce procédé permet notamment la réalisation des buses d'éjection d'encre utilisées dans la technologise d'impression par jets d'encre.