| 发明名称 |
PROCEDE DE MODIFICATION DE CARACTERISTIQUES ELECTRIQUES DE TRANSISTORS UNIJONCTIONS |
| 摘要 |
<P>Procédé permettant d'accroître le courant de vallée d'un transistor unijonction sans dégradation des autres caractéristiques. </P><P>Il consiste à soumettre au moins la jonction émetteur-base de ce transistor unijonction 10 à un rayonnement 35 provoquant des défauts de réseau pendant un temps suffisamment long pour modifier le courant de vallée de ce transistor unijonction. </P><P>Application aux transistors unijonctions.</P>
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| 申请公布号 |
FR2401521(A1) |
申请公布日期 |
1979.03.23 |
| 申请号 |
FR19780024639 |
申请日期 |
1978.08.25 |
| 申请人 |
GENERAL ELECTRIC CY |
发明人 |
HING CHOW CHU ET YEN SHENG EDMUND SUN;SUN YEN SHENG EDMUND |
| 分类号 |
H01L29/74;H01L21/263;H01L29/70;(IPC1-7):H01L21/26;H01L29/68 |
主分类号 |
H01L29/74 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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