发明名称 SEMICONDUCTOR NONVOLATILE MENORY DEVICE
摘要 PURPOSE:To enable the rewriting of the memory information only by the single polarity pulse of low voltage, by improving the charge transfer process in relation to rewriting of the memory information.
申请公布号 JPS5432079(A) 申请公布日期 1979.03.09
申请号 JP19770097895 申请日期 1977.08.17
申请人 HITACHI LTD 发明人 HORIUCHI KATSUTADA
分类号 H01L29/417;H01L21/8247;H01L29/788;H01L29/792 主分类号 H01L29/417
代理机构 代理人
主权项
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