发明名称 MIS TYPE SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
摘要 PURPOSE:To increase the high speed without decreasing the integrated density of MIS IC, by setting absolutely larger threshold voltage of the driving MIS FET at the later stage than that of the MIS FET at the prestage.
申请公布号 JPS5429553(A) 申请公布日期 1979.03.05
申请号 JP19770095031 申请日期 1977.08.10
申请人 HITACHI LTD 发明人 MIZUNO FUMIO
分类号 G11C11/407;H01L21/8234;H01L27/088;H01L29/78;H03K19/017;H03K19/0944 主分类号 G11C11/407
代理机构 代理人
主权项
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