| 摘要 |
本発明は、回路の埋込み層（２）を転写するための方法に関する。前記方法は、内側にエッチングを停止させるための、「前面」と呼ばれる表面の１つ（１２）が回路の層（２）で覆われた領域（７、７’）を備えるドナー基板（１、１’）を用意するステップと、回路の層（２）で覆われた表面の側で、前記基板の全周に前記ドナー基板（１、１’）の側縁部（１３）から離れて延在する周溝（３）または周辺切抜き部（３’）を設けるステップであって、前記切抜き部（３’）または前記溝（３）が回路の層（２）を完全に通過するのに十分深く設けられ、ドナー基板（１、１’）内へ延在するステップと、回路の前記層（２）の露出表面（２１）上に、および切り抜かれた表面（１３’）上に、または前記溝（３）の壁に、「第２の停止層」と呼ばれる、回路の前記層（２）のエッチングを選択的に停止させるための材料の層（４）を、前記溝（３）を塞ぐことなく堆積させるステップと、受取り基板（５）を前記第２の停止層（４）によって覆われた側で前記ドナー基板（１、１’）に付着させるステップと、回路の前記埋込み層（２）の前記受取り基板（５）への転写を得るように、エッチングを停止させるための前記領域（７、７’）に達するまで、裏面（１１）の化学エッチングによってドナー基板（１）の厚さを低減させるステップと、を備えることを特徴とする。 |
