发明名称 PROCEDE DE FABRICATION D'UN REDRESSEUR A SEMI-CONDUCTEUR A HAUTE VITESSE
摘要 Procédé fournissant des redresseurs ayant un meilleur compromis entre leur temps de recouvrement inverse, leur chute de tension directe et leur courant de fuite. Il consiste à réaliser un redresseur, à chauffer ce redresseur à une température d'environ 300 degrés C, à irradier le redresseur en le maintenant à cette température de 300 degrés C et à le cuire à une température de 280 degrés C à 350 degrés C pendant deux à dix heures. Application à la fabrication de redresseurs à semi-conducteur à grande vitesse.
申请公布号 FR2397716(A1) 申请公布日期 1979.02.09
申请号 FR19780020251 申请日期 1978.07.07
申请人 GENERAL ELECTRIC CY 发明人 YEN SHENG EDMUND SUN
分类号 H01L21/322;H01L21/263;H01L21/324;H01L29/861;(IPC1-7):01L21/26;01L29/91 主分类号 H01L21/322
代理机构 代理人
主权项
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