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发明名称
AVALANCHE PHOTO DIODE
摘要
PURPOSE:To improve speed and sensitivity by making the thickness of a light absorbing layer more than twice the inverse number of absorption coefficient and making the average of impurity concentrations less than about 10<16> atoms/cm<3>.
申请公布号
JPS5416195(A)
申请公布日期
1979.02.06
申请号
JP19770081315
申请日期
1977.07.06
申请人
NIPPON ELECTRIC CO
发明人
TAGUCHI KENKOU;NISHIDA KATSUHIKO
分类号
H01L29/864;H01L31/107
主分类号
H01L29/864
代理机构
代理人
主权项
地址
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