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发明名称 METHOD OF MANUFACTURING METAL-SEMICONDUCTOR CONTACTS EXHIBITING HIGH INJECTED CURRENT DENSITY AND DEVICES OBTAINED BY SAID METHOD
摘要
申请公布号 GB1539294(A) 申请公布日期 1979.01.31
申请号 GB19770003434 申请日期 1977.01.27
申请人 THOMSON CSF 发明人
分类号 H01L21/283;H01L21/027;H01L21/24;H01L21/263;H01L21/285;H01L23/48;H01L29/40;H01L29/417;H01L29/45;(IPC1-7):01L21/44 主分类号 H01L21/283
代理机构 代理人
主权项
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