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<P>L'invention concerne un transistor à effet de champ à canal de longueur extrêmement courte </P><P>Dans ce transistor, qui est réalisé sur un substrat 1 et comporte une région de source 2 et une région de drain 3, un isolant 4 et une première électrode de porte 5, cette dernière recouvre la région semi-conductrice entre la source et le drain 2 et 3 formée dans une zone 7 jouxtant directement la région de source 2 sur laquelle il est prévu une seconde électrode de porte 8 isolée de la première électrode 5 par une couche isolante 6 ainsi qu'une source de tension de polarisation UG1 et une borne 10 d'application d'une tension de commande UG2 . Application notamment aux circuits à transistors à haute fréquence et à haute tension.</P>
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