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<P>L'invention concerne un transistor à effet de champ à canal de courte longueur. </P><P>Dans ce transistor à effet de champ qui possède des régions de source et de drain 2 et 3 réalisées dans un substrat semi-conducteur 1 et qui possède une première électrode de porte séparée du semi-conducteur par une couche isolante 4, la première électrode de porte 5a, 5b est subdivisée en deux parties par une fente 6 au-dessus de laquelle est prévue une seconde électrode de porte 8 séparée de la première électrode par une couche isolante 7, les deux parties 5a, 5b de la première électrode de porte étant reliées à des sources de tension de polarisation 10, 11 tandis que la seconde électrode de porte 8 est reliée à une borne de commande 9. </P><P>Application notamment aux circuits à transistors à haute fréquence et à haute tension.</P>
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