COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR A COUCHE DE RESISTANCE DE CONDUCTIBILITE DU TYPE P

摘要

L'invention concerne un composant semi-conducteur comprenant une résistance Ce composant comporte une couche de résistance de conductibilité du type P formée à la surface principale d'un substrat de silicium. La couche de résistance est reliée à des électrodes à ses deux extrémités et elle est disposée suivant un axe cristallin 001 si la surface principale est une face cristalline 110 et suivant un axe 010 ou 011 si la surface principale est une face cristalline 100. L'invention s'applique notamment à la fabrication des circuits intégrés.