发明名称 WRITING METHOD FOR THIN FILM EL ELEMENT
摘要 PURPOSE:To obtain a high memory luminance by applying the writing voltage through the upper electrode featuring a high crystalline performance, and thus to enhance the writing efficiency to the thin film EL element.
申请公布号 JPS548424(A) 申请公布日期 1979.01.22
申请号 JP19770075282 申请日期 1977.06.21
申请人 发明人
分类号 G11C11/42;G09G3/12;G09G3/30;G11C11/21;H05B33/08 主分类号 G11C11/42
代理机构 代理人
主权项
地址
您可能感兴趣的专利