| 发明名称 |
READDOUT EXCLUSIVE MEMORY DEVICE |
| 摘要 |
PURPOSE:To achieve a high density by forming the P-N junction memory cell with the other-conduction type region and the uni-conduction type region. |
| 申请公布号 |
JPS546738(A) |
申请公布日期 |
1979.01.19 |
| 申请号 |
JP19770072457 |
申请日期 |
1977.06.17 |
| 申请人 |
NIPPON ELECTRIC CO |
发明人 |
ONDA YUTAKA |
| 分类号 |
G11C17/06;G11C17/08;H01L21/8229;H01L27/102 |
主分类号 |
G11C17/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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