| 摘要 |
<p>Procedimiento para producir un contacto óhmico en un cuerpo semiconductor, consistiendo principalmente por lo menos una capa superficial del mismo en un semiconductor compuesto que contiene aluminio, y en donde se deposita una capa de oro encima de la citada capa superficial; caracterizado porque comprende las etapas de depositar sobre la capa superficial, antes de la deposición de la capa de oro, una capa de transición de constituyentes capaces de proporcionar adulteración de energía de activación superficial y adhesión entre la capa superficial y la capa de oro; depositar la capa de oro por encima y en contacto con la capa de transición; y calentar el cuerpo con la capa de transición y la capa de oro sobre el mismo, en una atmósfera no oxidante, a una temperatura superior a la temperatura a la cual la capa de transición es líquida y por debajo de la temperatura de fusión del oro.</p> |
