Method for providing a silicide electrode on a substrate such as a semiconductor substrate.

摘要

- Le procédé de la présente invention est principalement caractérisé en ce qu'il prévoit la dépôt simultané de métal et de silicium sur le substrat par évaporation et le chauffage du substrat pour former le siliciure. Le métal peut être choisi dans le groupe comprenant le tungstène, le molybdène, le tantale et le rhodium. Dans un transistor à effet de champ (FET), le procédé peut contribuer à la formation d'une électrode de composite de porte par exemple une couche de siliciure 4 et une couche de silicium polycristallin 3; la couche de siliciure peut être aisément oxydée sans pour autant nuire à sa conductivité. Le présent procédé trouve en particulier application dans la fabrication des réseaux de mémoire à un seul FET.