发明名称 Semiconductor field-effect sensor for an electric or magnetic field.
摘要 - Detection de champs magnétiques ou électriques au moyen de détecteurs semi-conducteurs à effet de champ. - Le fonctionnement des détecteurs selon l'invention est basé sur la modulation des limites des régions d'appauvrissement délimitant le canal de conduction (4) qui relie une source (5) à des drains (6) formés dans un substrat semi-conducteur (1). Un signal de sortie accru est obtenu en réduisant la largeur (W) du canal (4), afin d'éliminer les porteurs de charge en excès que l'on trouve normalement dans les dispositifs à canaux larges et en prévoyant des zones d'appauvrissement constituant une fraction importante de la largeur (W). Le rapport entre la largeur non appauvrie (Wv) et la largeur (W) est choisi entre 0 et 0,98. - Détecteurs applicables notamment à la lecture de bandes magnétiques.
申请公布号 EP0000318(A1) 申请公布日期 1979.01.10
申请号 EP19780430004 申请日期 1978.06.22
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION 发明人 VINAL, ALBERT, WATSON
分类号 G01R33/09;G01R29/08;G01R33/06;G11B5/33;H01L29/10;H01L29/76;H01L29/78;H01L29/80;H01L29/82;H01L43/00;H01L43/06;(IPC1-7):H01L29/82;G01R33/08 主分类号 G01R33/09
代理机构 代理人
主权项
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