CIRCUIT INTEGRE SEMI-CONDUCTEUR OXYDE-METAL A SYMETRIE COMPLEMENTAIRE

摘要

L'invention concerne les circuits électroniques intégrés. Sur un substrat comprenant deux transistors MOS complémentaires, on prévoit une région supplémentaire en matériau du second type de conductivité formée dans le substrat entre les transistors précités, le fonctionnement de cette région supplémentaire étant tel qu'elle élimine les phénomènes de conduction bipolaire susceptibles d'établir un courant de réaction dans le substrat entre les transistors.