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<P>L'invention concerne un procédé pour ajuster une pastille semi-conductrice par rapport à un masque d'irradiation lors de la photolithographie aux rayons X. </P><P>Selon ce procédé, pour réaliser l'ajustement d'une pastille semi-conductrice 1 et d'un masque d'irradiation 4, on utilise des perçages 3, 13 ménagés dans la pastille semi-conductrice et dans le masque d'irradiation, ainsi que des détecteurs 11 détectant le maximum de l'intensité de faisceaux de rayons X 10 délivrés à partir d'une source de rayonnement X 7. </P><P>Application notamment à la fabrication de composants à semi-conducteurs.</P>
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