磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法

摘要

本发明涉及一种InP(磷化铟)基光电子器件，特别涉及此器件中的楔形腔和平行腔的实现方法。本发明特征在于利用选择性腐蚀在InP基半导体外延层上实现具有特定倾角的楔形结构，以及实现基于空气隙的平行腔结构。其中楔形结构的倾角可以通过选择不同的腐蚀液的组分比例来调节。本发明涉及的方法具有与半导体集成工艺兼容的特点，势将对今后光波与光电子器件的发展产生重要而深远的影响。

主权项

1、一种磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法，其特征在于，利用腐蚀液对引导层和外延层的腐蚀速率差异即选择性腐蚀，在InGaAsP外延层上实现具有所需要倾角的楔形结构。其中通过改变腐蚀液的组分配比来达到改变腐蚀液对引导层和外延层材料的速率腐蚀比，从而实现不同倾角的楔形结构。