发明名称 一种铝电解电容器高比容阳极铝箔的化成方法
摘要 本发明为一种铝电解电容器高比电容阳极铝箔的化成方法,涉及铝电解电容器制造。本发明的化成方法基本上包括以下步骤:(1)已经腐蚀扩面处理的铝箔在特定的溶液中浸泡,反应形成铝盐膜;(2)在高温下铝盐膜热分解并烧结形成纳米氧化铝膜;(3)沉积纳米氧化铝膜的铝箔在电解质溶液中进行阳极氧化化成处理。由此获得的阳极化成铝箔的比电容比用传统方法获得的化成箔的比电容可以提高5~45%,介电损耗可以满足铝电解电容器的要求,阳极氧化处理的时间可以降低10~99%,适用于耐各种电压的铝电解电容器阳极铝箔的化成,可以提高生产效率、降低生产能耗和生产成本。
申请公布号 CN1585059A 申请公布日期 2005.02.23
申请号 CN200410009211.8 申请日期 2004.06.16
申请人 北京科技大学;新疆众和股份有限公司 发明人 何业东;张巍;陈义庆;洪涛
分类号 H01G9/04;C23C28/04 主分类号 H01G9/04
代理机构 北京科大华谊专利代理事务所 代理人 杨玲莉
主权项 1、一种铝电解电容器高比容阳极铝箔的化成方法,铝箔在电解质溶液中进行阳极氧化化成处理,其特征在于:a、将已经腐蚀扩面处理的铝箔浸泡在酸、铝盐的水溶液或铝盐的有机溶液的其中一种溶液中,浸泡时间为1秒钟~3分钟,空气中干燥后,在铝箔表面形成铝盐膜;b、在200~600℃高温空气中烧结10秒钟~7小时,高温下铝盐膜热分解并烧结形成纳米氧化铝膜。
地址 100083北京市海淀区学院路30号