| 发明名称 |
Method of ion etching Cd-Hg-Te semiconductors |
| 摘要 |
A method of etching comprises etching a cadmium-mercury-telluride semiconductor layer by means of an ion beam.
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| 申请公布号 |
US4128467(A) |
申请公布日期 |
1978.12.05 |
| 申请号 |
US19780881007 |
申请日期 |
1978.02.24 |
| 申请人 |
LICENTIA PATENT-VERWALTUNGS-G.M.B.H. |
发明人 |
FISCHER, KONRAD |
| 分类号 |
H01L21/423;H01L29/221;(IPC1-7):C23C15/00 |
主分类号 |
H01L21/423 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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