| 发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, insbesondere einer DRAM-Vorrichtung mit einer COB-Struktur |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
DE10258412(B4) |
申请公布日期 |
2007.08.30 |
| 申请号 |
DE20021058412 |
申请日期 |
2002.12.13 |
| 申请人 |
SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD. |
发明人 |
PARK, BYUNG-JUN |
| 分类号 |
H01L21/3205;H01L21/8242;H01L21/02;H01L21/60;H01L27/108 |
主分类号 |
H01L21/3205 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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