发明名称 具有埋藏层的薄膜电晶体及其制造方法
摘要 本发明是一种具有埋藏层的薄膜电晶体及其制造方法,该薄膜电晶体包含一闸极电极、一绝缘并罩覆该闸极电极的介电层、一形成在该介电层上并可对应该闸极电极施加的电压而成电导通状态的通道层、一与该通道层相欧姆接触并具有相间隔的二层部的接触层,及分别形成在该接触层二层部上并彼此间隔且相对的汲极电极与源极电极,特别的是,该薄膜电晶体更具有一形成在该介电层上并对应位于该闸极电极上方且可导电的埋藏层,此埋藏层可以提高薄膜电晶体的导通电流,降低操作电压,并可改善可靠度。
申请公布号 TW200814322 申请公布日期 2008.03.16
申请号 TW095132357 申请日期 2006.09.01
申请人 国立中山大学 发明人 张鼎张;李泓纬;刘柏村;黄震铄
分类号 H01L29/786(2006.01) 主分类号 H01L29/786(2006.01)
代理机构 代理人 恽轶群;陈文郎
主权项
地址 高雄市鼓山区莲海路70号