发明名称 MANUFACTURE OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要 PURPOSE:To ensure the selective removal of the SiO2 film more than two times through the photo etching method wothout using the matching mark between the substrate and the mask.
申请公布号 JPS53133376(A) 申请公布日期 1978.11.21
申请号 JP19770049268 申请日期 1977.04.27
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP 发明人 INAO HIROYUKI
分类号 H01L21/027;H01L21/302 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人
主权项
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