| 发明名称 |
DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| 摘要 |
<P>Dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication. </P><P>Ce dispositif est caractérisé en ce qu'il comporte des régions alternées de semi-conducteurs différents (ex. GaAs et GaA1As) de telle sorte que la hauteur et la largeur de la barrière, l'épaisseur de la région de conduction assurent par la création d'etats de liaison de porteurs, que le flux de courant se développe essentiellement selon deux dimensions. </P><P>Application à l'industrie des semi-conducteurs.</P>
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| 申请公布号 |
FR2388411(A1) |
申请公布日期 |
1978.11.17 |
| 申请号 |
FR19770039917 |
申请日期 |
1977.12.23 |
| 申请人 |
IBM |
发明人 |
LEROY L. CHANG ET LEO ESAKI;ESAKI LEO |
| 分类号 |
H01L33/00;H01L21/331;H01L29/15;H01L29/73;H01L47/02;(IPC1-7):H01L29/06;H01L47/00 |
主分类号 |
H01L33/00 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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