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PRODUCTION OF SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
PURPOSE:To prevent deterioration of wire bonding characteristics by removing the high concentration Si layer from the surface of Si-doped Al film.
申请公布号
JPS53132264(A)
申请公布日期
1978.11.17
申请号
JP19770046951
申请日期
1977.04.22
申请人
发明人
分类号
H01L21/60;H01L21/603
主分类号
H01L21/60
代理机构
代理人
主权项
地址
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