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发明名称 INTEGRATED CIRCUIT UNIT
摘要 PURPOSE:To constitute L<2>L unit by using poly Si, which has been used only as a supporter conventionally, as a supporter as well as conductive body.
申请公布号 JPS53129589(A) 申请公布日期 1978.11.11
申请号 JP19770044269 申请日期 1977.04.18
申请人 FUJITSU LTD 发明人 INOUE OSAMU;FUNATSU TSUNEO
分类号 H01L21/8226;H01L21/3205;H01L21/762;H01L23/52;H01L27/02;H01L27/082;H03K19/091 主分类号 H01L21/8226
代理机构 代理人
主权项
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