PROCEDE POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR COMPORTANT DE TRES PETITS TRANSISTORS COMPLEMENTAIRES, ET DISPOSITIF FABRIQUE DE LA SORTE

摘要

Procédé pour fabriquer un dispositif semi-conducteur comportant de très petits transistors complémentaires. Suivant l'invention, sans devoir respecter des tolérances de masques, on élabore deux zones de surface adjacentes 11 et 14, la formation d'une seule de celles-ci 11 ayant lieu par diffusion depuis une mince de silicium 6. La distance entre les deux zones de surface est déterminée par la largeur d'une bande d'oxyde 10 qui est formée sur la surface et sur le bord de la couche en silicium. La bande d'oxyde résulte d'un sous décapage et de l'emploi d'un masque en nitrure de silicium précipite à effet d'ombre. Application aux circuits intégrés monolithiques.