发明名称 光刻机套片对准的方法
摘要 本发明提供一种光刻机套片对准的方法,该方法系制作并利用对准标准片来对该光刻机的对准系统进行校正;该方法包括步骤:A.选择深紫外光光刻机作为制作该对准标准片的光刻设备;B.根据产品的对准位置、避开晶圆片上的产品区域以及避开化学机械研磨的研磨区域这三个因素,确定在该对准标准片上的对准标志的坐标位置;C.制作该对准标准片,并将该对准标准片以渐进方式融入到生产中去。本发明能够减少套准偏差,建立套准偏差的基准,提高了光刻机对准的性能,提升了产品套片的偏差精度与稳定性。
申请公布号 CN104166319B 申请公布日期 2016.06.22
申请号 CN201410462658.4 申请日期 2014.09.12
申请人 上海先进半导体制造股份有限公司 发明人 王诚;刘庆锋
分类号 G03F9/00(2006.01)I;G03F7/20(2006.01)I 主分类号 G03F9/00(2006.01)I
代理机构 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人 徐洁晶
主权项 一种光刻机套片对准的方法,所述方法系制作并利用对准标准片(200)来对所述光刻机的对准系统进行校正;所述方法包括步骤:A.选择深紫外光光刻机作为制作所述对准标准片(200)的光刻设备;B.根据产品的对准位置、避开晶圆片上的产品区域以及避开化学机械研磨的研磨区域这三个因素,确定在所述对准标准片(200)上的对准标志(201)的坐标位置;以及C.制作所述对准标准片(200),并将所述对准标准片(200)以渐进方式融入到生产中去;其中,步骤C中的制作所述对准标准片(200)包括步骤:a.在空白晶圆片上曝光和刻蚀零层;b.在所述空白晶圆片上继续曝光和刻蚀第一层;c.在所述空白晶圆片上继续曝光第二层,测量所述第二层的对准参数;d.基于所述第二层的对准参数检验所述对准标准片(200)的质量,筛选所述对准标准片(200);以及e.在所述对准标准片(200)上曝光和刻蚀,在所确定的所述坐标位置上形成产品用的1PM标志以及位置,作为所述对准标志(201);其中,步骤C中的将所述对准标准片(200)以渐进方式融入到生产中包括步骤:I.根据新旧对准标准片的差异,制定渐进方式规则,所述规则包括分4次融入,每一次更新所述差异的25%;II.为符合所述对准标准片(200)上的所述对准标志(201)的位置变更和更换到与所述产品一致的所述1PM标志,修改所述光刻机的文件和参数来实现此功能;以及III.将新的所述对准标准片(200)以渐进方式融入到生产中的周期分4至5个月完成,根据指定的所述规则实施。
地址 200233 上海市徐汇区虹漕路385号