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发明名称
SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
PURPOSE:To improve reverse dielectric strength characteristics of diodes, transistors and thyristors having shallow junctions by beforehand providing a deep junction around the shallow junction.
申请公布号
JPS53126870(A)
申请公布日期
1978.11.06
申请号
JP19770042286
申请日期
1977.04.12
申请人
MITSUBISHI ELECTRIC CORP
发明人
ODA KATSUHIRO;ITOU TAKESHI
分类号
H01L27/06;H01L21/331;H01L21/8222;H01L29/73;H01L29/861
主分类号
H01L27/06
代理机构
代理人
主权项
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