| 摘要 |
실리콘과 사파이어의 격자 정수의 부적합에 기인하여 결함 밀도가 증대하는 문제를 극복하고, 매우 얇은 실리콘막에 있어서도 표면의 결함 밀도가 낮은 SOS 기판을 제공한다. 사파이어 기판(3)의 표면에 반도체 박막(4)을 구비한 첩합 SOS 기판(8)으로서, 상기 사파이어 기판(3)과 반도체 기판(1)을 제공하는 공정과, 상기 반도체 기판(1)의 표면으로부터 이온을 주입하여 이온 주입층(2)을 형성하는 공정과, 상기 사파이어 기판(3)의 상기 표면, 및 상기 이온을 주입한 반도체 기판(1)의 상기 표면의 적어도 일방의 면에 표면 활성화 처리를 행하는 공정과, 상기 반도체 기판(1)의 상기 표면과 상기 사파이어 기판(3)의 상기 표면을 50℃ 이상 350℃ 이하에서 첩합하는 공정과, 상기 첩합한 기판에, 최고 온도로서 200℃ 이상 350℃ 이하의 열처리를 가하고 접합체(6)를 얻는 공정과, 상기 접합체(6)를 상기 첩합 온도보다 고온 상태에 설치하고, 사파이어 기판(3)측 또는 반도체 기판(1)측으로부터 상기 반도체 기판(1)의 이온 주입층(2)을 향해 가시광을 조사하여 상기 이온 주입층(2)의 계면을 취화하고, 상기 반도체 박막(4)을 전사하는 공정에 의해 얻어진 첩합 SOS 기판이다. |
