摘要 |
<P>Mémoire magnétique à domaines comprenant une couche polycristalline ferromagnétique sur un support, des zones de champs coercitifs faibles, entourées par des zones de champs coercitifs élevées, formant des canaux, des bandes conductrices pour produire et déplacer les domaines dans les canaux, et une plaque de base de raccordement, caractérisée par le fait que les canaux sont circulaires mais non fermés ou en forme de spirale, allant du centre du support jusqu'à ses bords.</P>
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