| 摘要 |
<P>L'invention concerne un système de câblage pour circuits semi-conducteurs où une première configuration de métallisation est enfoncée dans une couche au besoin enfoncée en oxyde et une deuxième configuration de métallisation, qui se situe au-dessus de la première, est mise en contact par l'intermédiaire de trous, avec la première configuration de métallisation et les régions semi-conductrices. L'invention offre des avantages notables du fait qu'elle permet une métallisation plus fiable et plus plane, ce qui offre des possibilités aux systèmes de câblage multicouche. De plus, l'invention concerne un procédé pour la réalisation d'un câblage multicouche et fait l'économie d'un masque, comparativement aux procédés connus. Application : fabrication des semi-conducteurs.</P>
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