PROCEDE DE FORMATION DE ZONES METALLISEES SUR UNE SERIE DE DISPOSITIFS A SEMI-CONDUCTEURS

摘要

L'invention concerne un procédé de formation de zones métallisées sur une série de dispositifs à semi-conducteurs. Il est caractérisé par le fait qu'il comporte la préparation au soudage à bas point de fusion de l'aluminium déposé sur la partie avant de la plaquette au moyen de trois dépôts successifs sous vide et la préparation de la partie arrière par cinq dépôts successifs de métaux sous vide. L'invention s'applique à la fabrication des dispositifs à semi-conducteurs.