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经营范围
发明名称
High q tuned network utilizing biased double-base diode as inductive element
摘要
申请公布号
US3042884(A)
申请公布日期
1962.07.03
申请号
US19610092423
申请日期
1961.02.28
申请人
IVAN LADANY;KEARNEY ROBERT J
发明人
LADANY IVAN;KEARNEY ROBERT J.
分类号
H03C3/14;H03H5/12
主分类号
H03C3/14
代理机构
代理人
主权项
地址
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