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Composé de formulation (Px Ny Oz )n , procédé de fabrication d'un film à partir dudit composé, et application dudit composé à la technologie des circuits intégrés. Ce composé est formé dans une chambre de réaction, par dépôt chimique en phase vapeur sur un substrat typiquement en silicium et chauffé à une température comprise entre 400 et 900 degrés C, à partir d'un courant gazeux contenant les composantes suivantes : P, N2 et O2 . Ce composé comporte de preférence, de 16 à 27 % en poids d'oxygène et de 47 à 51% en poids de phosphore. Il est amorphe, présente une stabilité thermique remarquable et grande résistance aux décapants habituels. Application privilégiée à la passivation des dispositifs semi-conducteurs et pus particulièrement à la formation des isolants de porte pour les MOSFET.
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