| 摘要 |
<P>La présente invention concerne un procédé d'écriture dans un transistor de mémorisation comprenant une double couche diélectrique de porte. </P><P>Ce procédé s'applique à un transistor de mémorisation comprenant un substrat 2, une zone de source 3, une zone de drain 4, une couche d'oxyde 5 et une couche de nitrure 6. Outre l'application classique d'une tension d'écriture entre l'électrode de porte 1 et le substrat 2, la présente invention prévoit l'application d'un potentiel de même polarité entre l'électrode de source 7 et le substrat 2. </P><P>Application à l'augmentation de la rapidité d'écriture dans des transistors de mémorisation.</P>
|
