| 摘要 |
L'invention concerne un procédé de fabrication d'une structure de passivation en plusieurs couches. Selon l'invention, on forme, sur une surface 20 d'un corps en matériau semi-conducteur 12, une première couche 22 en silicium polycristallin de forte résistivité ; et on dispose sur la couche 22, une seconde couche 24 et une troisième couche 26 en matériau passivant, l'une des seconde et troisième couches étant en un agent passivant particulaire. L'invention s'applique notamment aux semi-conducteurs. |
