VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR DOTIERUNG EINES HALBLEITER-SUBSTRATS DURCH IMPLANTATION VON IONEN,申请号DE19782811414-传众专利搜索

发明名称	VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUR DOTIERUNG EINES HALBLEITER-SUBSTRATS DURCH IMPLANTATION VON IONEN
摘要
申请公布号	DE2811414(A1)	申请公布日期	1978.09.21
申请号	DE19782811414	申请日期	1978.03.16
申请人	AGENCE NATIONALE DE VALORISATION DE LA RECHERCHE	发明人	MULLER,JEAN-CLAUDE;PONPON,JEAN-PIERRE;KUREK,JOSEPH;SIFFERT,PAUL
分类号	C30B31/22;H01J37/317;H01L21/265;(IPC1-7):H01L21/265	主分类号	C30B31/22
代理机构		代理人
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