INSULATING GATEETYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR,申请号JP19770018203-传众专利搜索

发明名称	INSULATING GATEETYPE FIELD EFFECT TRANSISTOR
摘要
申请公布号	JPS53104181(A)	申请公布日期	1978.09.11
申请号	JP19770018203	申请日期	1977.02.23
申请人	HITACHI LTD	发明人	SAKAI OSAMU
分类号	H01L29/78;H01L27/12;H01L29/06;H01L29/786	主分类号	H01L29/78
代理机构		代理人
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