发明名称 MODULE DE MEMOIRE A COUPLAGE DIRECT DE CHARGES
摘要 <P>L'invention concerne un module de mémoire CCD. </P><P>Dans ce dispositif, pour l'exploitation de la quantité de charges arrivant de la dernière case de mémoire ST du champ de mémoire SPF, 2**n-1 électrodes supplémentaires EZ sont disposées au-dessus du substrat SU, chaque électrode peut stocker une charge unité, et il est prévu une électrode de transfert EG commandant le transfert des charges à des régions de diffusion DFZ raccordées à un circuit d'exploitation FFS; CD. </P><P>Application notamment aux mémoires CCD à mémorisation hiérarchisée des informations.</P>
申请公布号 FR2379878(A1) 申请公布日期 1978.09.01
申请号 FR19780002175 申请日期 1978.01.26
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 G11C27/04;G11C19/28;G11C19/36;H01L29/768;H03K3/356;(IPC1-7):G11C19/28 主分类号 G11C27/04
代理机构 代理人
主权项
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