发明名称 MODULE DE MEMOIRE A COUPLAGE DIRECT DE CHARGES
摘要 <P>L'invention concerne un module de mémoire à couplage direct de charges. </P><P>Dans cette mémoire comportant un circuit de décodage pour l'introduction d'une quantité de charges dans une case de mémoire et formé de n circuits d'introduction associés chacun à une position binaire d'un nombre binaire, les sorties des circuits d'introduction sont réunies par une électrode commune ST à une case de mémoire suivante et il est prévu entre cette électrode et lesdites sorties, des électrodes de transfert EL déterminant si la charge produite par le circuit d'introduction parvient ou non à l'électrode ST, la différence des tensions UC, appliquée à des électrodes El, E2 de commande influençant la quantité de charges envoyée d'un conducteur LT à l'électrode ST. </P><P>Application notamment aux dispositifs de mémorisation à transfert de charges.</P>
申请公布号 FR2379876(A1) 申请公布日期 1978.09.01
申请号 FR19780002332 申请日期 1978.01.27
申请人 SIEMENS AG 发明人
分类号 G11C27/04;G11C19/28;G11C19/36;H01L27/105;(IPC1-7):G11C11/34 主分类号 G11C27/04
代理机构 代理人
主权项
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