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<P>Elément de formation de fraction d'image pour dispositif de formation d'image à semi-conducteur, comportant au moins une photodiode à jonction pn et un détecteur de signal lumineux juxtaposé, disposés dans une partie superficielle d'un substrat semi-conducteur à conductibilité d'un premier type. Dans une région semi-conductrice constituant ladite photodiode et à conductibilité de type opposée à celle du substrat, est au moins une région de fenêtre évidant la région semi-conductrice jusqu'au niveau général du substrat et constituée par un ressaut de ce dernier. </P><P>Une telle structure améliore la sensibilité au bleu et la qualité d'image, tant en couleur qu'en noir et blanc, du dispositif.</P>
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