| 发明名称 |
Memory device employing plurality of minority-carrier storage effect transistors interposed between plurality of transistors for electrical isolation |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
US3356860(A) |
申请公布日期 |
1967.12.05 |
| 申请号 |
US19640365913 |
申请日期 |
1964.05.08 |
| 申请人 |
GENERAL MICRO-ELECTRONICS INC. |
发明人 |
NORMAN ROBERT H. |
| 分类号 |
G11C19/18;G11C19/28;H01L27/102 |
主分类号 |
G11C19/18 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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