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发明名称 GASEOUS PHASE EPITAXIAL GROWTH METHOD FOR COMPOUND SEMICONDUCTOR CRYSTAL
摘要
申请公布号 JPS5387985(A) 申请公布日期 1978.08.02
申请号 JP19770003392 申请日期 1977.01.13
申请人 NIPPON ELECTRIC CO 发明人 SASAKI HISAO
分类号 C30B25/12;C01B25/08;C30B29/40;H01L21/205 主分类号 C30B25/12
代理机构 代理人
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