发明名称 SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT
摘要 <p>PURPOSE:To obtain a face-down IC at low cost and a high yield by forming a solder thin-film layer on the aluminum thin-film of bonding pads and using low melting point alloy basically composed of Pb, Sn, etc. as solder.</p>
申请公布号 JPS5386572(A) 申请公布日期 1978.07.31
申请号 JP19770001276 申请日期 1977.01.10
申请人 SUWA SEIKOSHA KK 发明人 OGUCHI KOUICHI
分类号 H01L21/60;H01L29/40 主分类号 H01L21/60
代理机构 代理人
主权项
地址