| 摘要 |
L'invention concerne un ensemble semi-conducteur comprenant un îlot en silicium tiré par épitaxie ayant au moins une paroi latérale transversale à une surface majeure non contigüe de l'îlot, et un substrat en saphir ou matériau ayant des propriétés physico-chimiques équivalentes supportant ledit îlot Selon l'invention une couche 16 d'oxyde d'aluminium est formée par épitaxie près du substrat 14, la couche 16 a une surface non contigüe sensiblement juxtaposée à la paroi latérale 20 de l'îlot en silicium 12, la couche 16 en oxyde d'aluminium entoure l'îlot 12 en contact contigu avec la paroi latérale 20, ainsi l'interface entre l'îlot en silicium et le substrat 14 est couverte. L'invention s'applique notamment à la fabrication de transistors |
