| 发明名称 |
Insulated-gate field effect transistor exhibiting a maximum source-drain conductance at a critical gate bias voltage |
| 摘要 |
|
| 申请公布号 |
US3407343(A) |
申请公布日期 |
1968.10.22 |
| 申请号 |
US19660537833 |
申请日期 |
1966.03.28 |
| 申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
FANG FRANK F. |
| 分类号 |
H01L29/00;H01L29/76;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L29/00 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
