| 摘要 |
Dispositif de purification par fusion de zone de barreaux semiconducteurs polycristallins permettant de produire des barreaux semiconducteurs monocristallins. Le dispositif comprend une chambre de chauffage par induction 16 dont la dimension longitudinale est indépendante de la longueur du barreau semiconducteur à traiter. Un premier soufflet et un second soufflet étant étanches au gaz 36 et 51 entourent le support de barreau et le support de germe. La base du support de barreau ou du support de germe comporte un joint à fluide magnétique étanche au gaz de façon à assurer un joint dynamique entre la chambre et le moyen d'entraînement Ces soufflets se dilatent et se contractent par suite du mouvement relatif du support du barreau et du support de germe par rapport à la chambre de chauffage, et peuvent être détachés de la chambre de façon à faciliter le montage et l'extraction des barreaux semiconducteurs. De façon à protéger les soufflets du semiconducteur fondu, plusieurs cylindres télescopiques métalliques sont placés à l'intérieur du second soufflet Application aux dispositifs de purification par fusion de zone de barreaux semiconducteurs polycristallins. |
