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Transistor à structure multicouche et émetteur composé de deux régions de dopages différents. Une région superficielle fortement dopée de l'émetteur 26 localisée à distance d'une zone de contact de base 28 encadre une région 25 fortement dopée, du type de conductivité de la base 23. Application aux transistors haute tension, avec amélioration du comportement au second claquage.
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